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大多數(shù)電子技術(shù)在電源模塊中發(fā)展的趨勢是低電壓和大電流，而同步整流技術(shù)相比較其他技術(shù)而言，是高效低損耗方法，通過控制功率MOSFET的驅(qū)動電路，實現(xiàn)整流功能。

同步整流技術(shù)的應(yīng)用

同步整流技術(shù)出現(xiàn)較早，但早期的技術(shù)很難轉(zhuǎn)換為產(chǎn)品，這是由于當(dāng)時

1）驅(qū)動技術(shù)不成熟，可靠性不高，現(xiàn)在技術(shù)已逐步成熟，出現(xiàn)了專用同步整流驅(qū)動芯片，如U321等；

2）專用配套的低導(dǎo)通電阻功率MOSFET還未投放市場；

3）還未采用MOSFET并聯(lián)肖特基二極管以降低寄生二極管的導(dǎo)通損耗；

4）在產(chǎn)品設(shè)計中沒有解決分布電感對MOSFET開關(guān)損耗的影響。

經(jīng)過這幾年的發(fā)展，同步整流技術(shù)已經(jīng)成熟，由于開發(fā)成本的原因，目前只在技術(shù)含量較高的通信電源模塊中得到應(yīng)用。

現(xiàn)在的電源模塊仍主要應(yīng)用在通信系統(tǒng)中，隨著通信技術(shù)的發(fā)展，通信芯片所需的電壓逐步降低，5V和3.3V早已成為主流，正向2.5V、1.5V甚至更低的方向發(fā)展。通信設(shè)備的集成度不斷提高，分布式電源系統(tǒng)中單機功率不斷增加，輸出電流從早期的10-20A到現(xiàn)在的30-60A，并有不斷增大的趨勢，同時要求體積要不斷減小。這就為同步整流技術(shù)提供了廣泛的應(yīng)用需求。

同步整流技術(shù)與傳統(tǒng)技術(shù)的對比

在傳統(tǒng)的次級整流電路中，肖特基二極管是低電壓、大電流應(yīng)用的首選。其導(dǎo)通壓降大于0.4V，但當(dāng)通信電源模塊的輸出電壓隨著通信技術(shù)發(fā)展而逐步降低時，采用肖特基二極管的電源模塊效率損失驚人，在輸出電壓為5V時，效率可達(dá)85%左右，在輸出電壓為3.3V時，效率降為80%，1.5V輸出時只有65%，應(yīng)用已不現(xiàn)實。

在低輸出電壓應(yīng)用中，同步整流技術(shù)有明顯優(yōu)勢。功率MOSFET導(dǎo)通電流能力強，可以達(dá)到60A以上。采用同步整流技術(shù)后，次級整流的電壓降等于MOSFET的導(dǎo)通壓降，由MOSFET的導(dǎo)通電阻決定，而且控制技術(shù)的進步也降低了MOSFET的開關(guān)損耗。在過去三年中，用于同步整流的MOSFET工藝取得了突破性的進展，導(dǎo)通電阻下降到了原來的1/5?，F(xiàn)在，采用經(jīng)過特殊工藝處理的MOSFET，能達(dá)到非常低的導(dǎo)通電阻，如IR公司的產(chǎn)品IRHSNA57064，當(dāng)通導(dǎo)電流為45A時，其導(dǎo)通電阻僅為5.6毫歐，并且已經(jīng)批量生產(chǎn)。

同步整流技術(shù)提高了次級整流效率，使生產(chǎn)低電壓、大電流、小體積的通信電源模塊成為現(xiàn)實。

同步整流技術(shù)可以很好的適應(yīng)芯片，有很廣泛的運用。這是一塊還未被開發(fā)的市場，大多數(shù)公司還沒有被掌握，而且相應(yīng)的成本也比較高。但隨著同步整流的MOSFET產(chǎn)品批量生產(chǎn)，專用驅(qū)動芯片的出現(xiàn)，以及技術(shù)的成熟，同步整流將成為主流的電源技術(shù)。